参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	BSS214N H6327
说明	小信号MOSFET   2.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6291 [库存更新时间：2025-11-24]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	143pF @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.8nC @ 5V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	1.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	106mΩ
栅极电压Vgs	12V
Qg-栅极电荷	800pC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	500mW(1/2W)
高度	1.10mm
长度	2.9mm
系列	BSS214
FET类型	N-Channel
宽度	1.3mm
正向跨导 - 最小值	4S
下降时间	1.4ns
上升时间	7.8ns
典型关闭延迟时间	6.8ns
典型接通延迟时间	4.1ns